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Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
FDS4685 è un MOSFET PowerTrench® a canale P di -40V progettato appositamente per ridurre al minimo la resistenza in stato ON e mantenere una carica di gate bassa per performance di commutazione superiori. L'ultimissimo MOSFET di potenza a media tensione è composto da interruttori di potenza ottimizzati che uniscono una carica di gate ridotta (QG), carica di recupero inverso (Qrr) ridotta e un diodo di body con basso recupero inverso, che contribuisce a una commutazione rapida per la rettifica simultanea negli alimentatori AC/DC. Fa uso di una struttura a gate schermato che assicura l'equilibrio della carica. Con questa tecnologia avanzata, il FOM (cifra di merito (QGxRDS(ON))) di questi dispositivi è del 66% più basso di quello della generazione precedente. Il nuovo MOSFET PowerTrench®, con le sue prestazioni da diodo soft body, è in grado di eliminare gli snubber o sostituire i circuiti che richiedono MOSFET con tensioni nominali più alte perché può minimizzare i picchi di tensione indesiderati nei raddrizzamenti sincroni. Questo prodotto è destinato ad usi generali ed è adatto a molte applicazioni diverse.
- Tecnologia Trench ad alte prestazioni per RDS (ON) estremamente bassa
- Capacità di tenuta di corrente e potenza elevate
Specifiche tecniche
canale P
8.2A
SOIC
10V
1.2W
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
40V
0.027ohm
montaggio superficiale (SMT)
1.6V
8Pin
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Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto