Ti serve altro?
Quantità | |
---|---|
1+ | € 2,820 |
10+ | € 1,270 |
100+ | € 1,240 |
500+ | € 1,220 |
1000+ | € 1,190 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
FDP51N25 è un MOSFET ad alta tensione UniFET™ a canale N prodotto sulla base della tecnologia DMOS e degli stripe planari. Questo MOSFET è pensato appositamente per ridurre la resistenza in stato di conduzione (ON) e fornire prestazioni di commutazione migliori e resistenza superiore all'energia di valanga. Questo prodotto è adatto per le applicazioni con convertitori di potenza switching come correzione del fattore di potenza (PFC), alimentazione delle TV con display a schermo piatto (FPD), ATX e ballast elettronici per lampade.
- Bassa carica di gate tipica: 55nC
- Capacità di trasferimento inversa (Crss) tipica ridotta: 63pF
Avvertenze
La domanda di mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna. Le date di consegna potrebbero variare. Prodotto esente da sconti.
Specifiche tecniche
canale N
51A
TO-220
10V
320W
150°C
-
250V
0.048ohm
foro passante (THT)
5V
3Pin
-
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto