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FDP33N25
MOSFET di potenza, canale N, 250 V, 33 A, 0.094 ohm, TO-220, foro passante (THT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDP33N25
Codice Prodotto1324798
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds250V
Corrente Continua di Drain Id33A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.094ohm
Stile di Case del TransistorTO-220
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di potenza235W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (23-Jan-2024)
Panoramica del prodotto
FDP33N25 è un MOSFET ad alta tensione UniFET™ a canale N prodotto sulla base della tecnologia DMOS e degli stripe planari. Questo MOSFET è pensato appositamente per ridurre la resistenza in stato di conduzione (ON) e fornire prestazioni di commutazione migliori e resistenza superiore all'energia di valanga. Questo prodotto è adatto per le applicazioni con convertitori di potenza switching come correzione del fattore di potenza (PFC), alimentazione delle TV con display a schermo piatto (FPD), ATX e ballast elettronici per lampade.
- 100% testato per valanga
- Bassa carica di gate tipica: 36.8nC
- Capacità di trasferimento inversa (Crss) tipica ridotta: 39pF
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
33A
Stile di Case del Transistor
TO-220
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
235W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (23-Jan-2024)
Tensione Drain Source Vds
250V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.094ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (23-Jan-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002
Tracciabilità del prodotto