FDN357N
MOSFET di potenza, canale N, 30 V, 1.9 A, 0.06 ohm, SuperSOT, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
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Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
FDN357N è un FET di potenza ad arricchimento di livello logico a canale N SuperSOT™-3 che utilizza la tecnologia DMOS ad alta concentrazione di celle. Questo processore ad altissima densità è fatto su misura per minimizzare la resistenza in stato ON. È particolarmente indicato per le applicazioni a bassa tensione nelle schede PCMCIA e negli altri circuiti a batteria, dove si richiedono commutazione rapida e bassa perdita di potenza in-line in un package a montaggio superficiale dal profilo molto piccolo. È caratterizzato da un package a montaggio superficiale con profilo standard industriale che sfrutta il design SuperSOT™-3 per garantire capacità elettriche e termiche superiori.
- Design ad alta densità di celle per RDS molto bassi (ON)
- Eccezionale resistenza in stato ON e massima capacità di corrente DC
Specifiche tecniche
canale N
1.9A
SuperSOT
4.5V
500mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
30V
0.06ohm
montaggio superficiale (SMT)
1.6V
3Pin
-
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per FDN357N
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto