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FDN352AP
MOSFET di potenza, canale P, 30 V, 1.3 A, 0.18 ohm, SuperSOT, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDN352AP
Codice Prodotto1467977
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id1.3A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.18ohm
Stile di Case del TransistorSuperSOT
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza500mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
L'FDN352AP è un MOSFET a livello logico a canale P prodotto tramite l'avanzato processo Power Trench®, che è stato concepito appositamente per ridurre al minimo la resistenza di stato ON e mantenere comunque una bassa carica di gate, per una performance di commutazione superiore. Questo dispositivo è particolarmente adatto per le applicazioni alimentate a batteria e a bassa tensione, dove si richiede una bassa perdita di potenza in-line in un package a montaggio superficiale dal profilo molto ridotto.
- Tecnologia Trench ad alte prestazioni per RDS (ON) estremamente bassa
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
1.3A
Stile di Case del Transistor
SuperSOT
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
500mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.18ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Alternative per FDN352AP
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.003175
Tracciabilità del prodotto