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FDMS86255
MOSFET di potenza, canale N, 150 V, 45 A, 0.0124 ohm, Power 56, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDMS86255
Codice Prodotto2825179RL
Gamma ProdottiPowerTrench
Datasheet tecnico
15 784 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDMS86255
Codice Prodotto2825179RL
Gamma ProdottiPowerTrench
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds150V
Corrente Continua di Drain Id45A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0124ohm
Stile di Case del TransistorPower 56
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza113W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiPowerTrench
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
FDMS86255 è un MOSFET PowerTrench Shielded-Gate a canale N. Questo MOSFET a canale N è prodotto usando il processo PowerTrench avanzato Onsemi che incorpora la tecnologia Shielded Gate. Questo processo è stato ottimizzato per una bassa resistenza di conduzione e mantenere allo stesso tempo prestazioni di commutazione superiori. Le applicazioni tipiche sono: commutazione di carico / OringFET, raddrizzamento sincrono e conversione DC-DC.
- La combinazione del materiale in silicio e del package avanzato risulta in una bassa resistenza di conduzione e in un'efficienza elevata.
- Tecnologia di diodo di body avanzata di nuova generazione, progettato per soft recovery
- Testato UIL al 100%
- Tensione drain-source: 150V a TA = 25°C
- Tensione gate-source: ±20V a TA = 25°C
- Corrente di drain: 62A continua, TC = 25°C
- Energia di valanga a singolo impulso: 541mJ a TA = 25°C
- Dissipazione di potenza: 113W a TC = 25°C
- Package PQFN8
- Temperatura di giunzione di esercizio e a scaffale: da -55 a +150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
45A
Stile di Case del Transistor
Power 56
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
113W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
150V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0124ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
PowerTrench
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0004
Tracciabilità del prodotto