Stampa pagina
FDMA507PZ
MOSFET di potenza, canale P, 20 V, 7.8 A, 0.024 ohm, µFET, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
3 048 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 0,745 |
| 50+ | € 0,575 |
| 100+ | € 0,422 |
| 500+ | € 0,413 |
| 1500+ | € 0,405 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 5
Più: 5
€ 3,72 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDMA507PZ
Codice Prodotto1885767
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds20V
Corrente Continua di Drain Id7.8A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.024ohm
Stile di Case del TransistorµFET
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)5V
Tensione di soglia Gate-Source massima500mV
Dissipazione di potenza2.4W
Numero di pin6Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
FDMA507PZ è un singolo MOSFET a canale P prodotto usando il processo PowerTrench®. È progettato appositamente per la commutazione del carico e la carica delle batterie nei ricevitori cellulari e in altre applicazioni ultra portatili. È caratterizzato da un MOSFET con bassa resistenza in conduzione (stato ON). Il package MicroFET 2X2 offre prestazioni termiche eccezionali per le sue dimensioni fisiche e si presta perfettamente alle applicazioni in modalità lineare.
- Privo di alogeni
- Livello di protezione dalle ESD HBM tipico: 3.2kV
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
7.8A
Stile di Case del Transistor
µFET
Tensione di test di Rds(on)
5V
Dissipazione di potenza
2.4W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
20V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.024ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
500mV
Numero di pin
6Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0025
Tracciabilità del prodotto