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FDH055N15A
MOSFET di potenza, canale N, 150 V, 156 A, 0.0048 ohm, TO-247, foro passante (THT)
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ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDH055N15A
Codice Prodotto2825158
Gamma ProdottiPowerTrench
Datasheet tecnico
4 203 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDH055N15A
Codice Prodotto2825158
Gamma ProdottiPowerTrench
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds150V
Corrente Continua di Drain Id156A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0048ohm
Stile di Case del TransistorTO-247
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza429W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodottiPowerTrench
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
L'FDH055N15A è un MOSFET POWERTRENCH® a canale N. Questo MOSFET a canale N è prodotto usando il processo POWERTRENCH avanzato di Onsemi, che è stato progettato appositamente per ridurre al minimo la resistenza RDSon e mantenere allo stesso tempo prestazioni di commutazione superiori. Le applicazioni includono: raddrizzamento sincrono per alimentatori di telecomunicazioni / ATX / server, circuiti di protezione delle batterie, azionamenti motori e gruppi di continuità, micro inverter solari.
- Alta velocità di commutazione, bassa carica di gate, alta capacità di gestione di potenza e corrente
- Tecnologia Trench ad alte prestazioni per RDS(on) estremamente bassa
- Resistenza di conduzione drain-source statica: 4,8mohm tip. (VGS = 10V, ID = 120A, TC = 25°C)
- Tensione di rottura drain-source: 150V min (ID = 250µA, VGS = 0V, TC = 25°C)
- Coefficiente di temperatura tensione di rottura: 0,1V/°C tip. (ID = 250µA, riferito a 25°C)
- Tensione di soglia del gate: 2,0-4,0V (VGS = VDS, ID = 250µA, 25°C)
- Capacità di ingresso: 7100pF tip. (VDS = 75V, VGS = 0V, f = 1MHz, 25°C)
- Capacità di uscita: 664pF tip. (VDS = 75V, VGS = 0V, f = 1MHz, 25°C)
- Dissipazione di potenza: 429W (25°C)
- Package TO−247−3LD, intervallo di temperatura di esercizio: da -55 a + 175°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
156A
Stile di Case del Transistor
TO-247
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
429W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
150V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0048ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
PowerTrench
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.006867
Tracciabilità del prodotto