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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDD7N25LZTM
Codice Prodotto3253681
Gamma ProdottiUniFET
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds250V
Corrente Continua di Drain Id6.2A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.43ohm
Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.5V
Dissipazione di potenza56W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiUniFET
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
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Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
6.2A
Stile di Case del Transistor
TO-252 (DPAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
56W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
250V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.43ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.5V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
UniFET
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0004
Tracciabilità del prodotto