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FDC655BN
MOSFET di potenza, canale N, 30 V, 6.3 A, 0.021 ohm, SuperSOT, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDC655BN
Codice Prodotto2101405
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id6.3A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.021ohm
Stile di Case del TransistorSuperSOT
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.9V
Dissipazione di potenza800mW
Numero di pin6Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
FDC655BN è un MOSFET a canale N singolo di livello logico prodotto usando l'avanzato processo PowerTrench®. È stato progettato appositamente per ridurre al minimo la resistenza di stato ON e mantenere allo stesso tempo una performance di commutazione superiore. Questo dispositivo è particolarmente adatto per le applicazioni alimentate a batteria e a bassa tensione, dove si richiedono basse perdite di potenza in linea e una commutazione rapida.
- Commutazione rapida
- Bassa carica di gate
- Tecnologia Trench ad alte prestazioni per RDS (ON) estremamente bassa
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
6.3A
Stile di Case del Transistor
SuperSOT
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
800mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.021ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.9V
Numero di pin
6Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per FDC655BN
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000015