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FDB33N25TM

Name: MOSFET di potenza, canale N, 250 V, 33 A, 0.077 ohm, TO-263AB, montaggio superficiale (SMT)
Brand: ONSEMI
SKU: 2322575
Availability: InStock

MOSFET di potenza, canale N, 250 V, 33 A, 0.077 ohm, TO-263AB, montaggio superficiale (SMT)

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ProduttoreONSEMI

Cod. produttoreFDB33N25TM

Codice Prodotto2322575

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Informazioni sui prodotti

ProduttoreONSEMI

Cod. produttoreFDB33N25TM

Codice Prodotto2322575

Datasheet tecnico

Data Sheet

Tipo di canalecanale N

Tensione Drain Source Vds250V

Corrente Continua di Drain Id33A

Resistenza Drain-Source in conduzione0.077ohm

Stile di Case del TransistorTO-263AB

Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)

Tensione di test di Rds(on)10V

Tensione di soglia Gate-Source massima3V

Dissipazione di potenza235W

Numero di pin3Pin

Temperatura di esercizio max150°C

Gamma di prodotti-

Qualificazioni-

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (23-Jan-2024)

Panoramica del prodotto

The FDB33N25TM is a 250V N-channel UniFET™ MOSFET based on planar stripe and DMOS technology. This high voltage MOSFET is tailored to reduce on-state resistance and to provide better switching performance and higher avalanche energy strength. The body diode's reverse recovery performance of UniFET FRFET® MOSFET has been enhanced by lifetime control. Its trr is less than 100ns and the reverse dv/dt immunity is 15V/ns while normal planar MOSFETs have over 200ns and 4.5V/ns respectively. Therefore, it can remove additional component and improve system reliability in certain applications in which the performance of MOSFET's body diode is significant. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX and electronic lamp ballasts. This product is general usage and suitable for many different applications.

Low gate charge
100% Avalanche tested

Specifiche tecniche

Tipo di canale

canale N

Corrente Continua di Drain Id

33A

Stile di Case del Transistor

TO-263AB

Tensione di test di Rds(on)

10V

Dissipazione di potenza

235W

Temperatura di esercizio max

150°C

Qualificazioni

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)

Lead (23-Jan-2024)

Tensione Drain Source Vds

250V

Resistenza Drain-Source in conduzione

0.077ohm

Montaggio Transistore

montaggio superficiale (SMT)

Tensione di soglia Gate-Source massima

Numero di pin

3Pin

Gamma di prodotti

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

MSL 1 - Non Limitata

Documenti tecnici (2)

Product Change Notice EN

Technical Data Sheet EN

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1 prodotto trovato

Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo

Tariffa n.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex

RoHS

Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì

RoHS

Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (23-Jan-2024)

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Certificato di conformità del prodotto

Peso (kg):.001658

Tracciabilità del prodotto