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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFDB28N30TM
Codice Prodotto2453391
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds300V
Corrente Continua di Drain Id28A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.129ohm
Stile di Case del TransistorTO-263AB
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima5V
Dissipazione di potenza250W
Numero di pin2Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
FDB28N30TM è un FET di potenza ad arricchimento a canale N prodotto con la tecnologia DMOS a striscia planare. Questa tecnologia avanzata è stata pensata su misura per minimizzare la resistenza in stato di conduzione (ON), offrire una prestazione di switching migliore e sopportare gli impulsi di energia nelle modalità di commutazione e valanga. È adatto per gli alimentatori con regolatore switching ad alta efficienza e la correzione attiva del fattore di potenza.
- Capacità di dv/dt migliorata
- 100% testato per valanga
- Commutazione rapida
- Bassa carica di gate tipica: 39nC
- Capacità di trasferimento inversa (Crss) tipica ridotta: 35pF
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
28A
Stile di Case del Transistor
TO-263AB
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
250W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
300V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.129ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
5V
Numero di pin
2Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001312
Tracciabilità del prodotto