Stampa pagina
FCPF067N65S3
MOSFET di potenza, canale N, 650 V, 44 A, 0.059 ohm, TO-220F, foro passante (THT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFCPF067N65S3
Codice Prodotto2565207
Gamma ProdottiSuperFET III
Datasheet tecnico
2 138 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 6,720 |
| 5+ | € 5,090 |
| 10+ | € 3,460 |
| 50+ | € 3,420 |
| 100+ | € 3,380 |
| 250+ | € 3,310 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 1
Più: 1
€ 6,72 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFCPF067N65S3
Codice Prodotto2565207
Gamma ProdottiSuperFET III
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds650V
Corrente Continua di Drain Id44A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.059ohm
Stile di Case del TransistorTO-220F
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.5V
Dissipazione di potenza46W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiSuperFET III
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
La serie SuperFET III da 650V di ON Semiconductors offre Super Junction MOSFET ad altissime prestazioni pensati specificamente per un’altissima densità di potenza.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
44A
Stile di Case del Transistor
TO-220F
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
46W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.059ohm
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.5V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
SuperFET III
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (2)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.006048
Tracciabilità del prodotto