Stampa pagina
FCMT125N65S3
MOSFET di potenza, canale N, 650 V, 24 A, 0.1 ohm, PQFN, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFCMT125N65S3
Codice Prodotto2981073
Gamma ProdottiSUPERFET III
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 22 settimana/e
Avvisami non appena disponibile
| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 3,860 |
| 10+ | € 2,990 |
| 100+ | € 2,770 |
| 500+ | € 2,710 |
| 1000+ | € 2,660 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 1
Più: 1
€ 3,86 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreFCMT125N65S3
Codice Prodotto2981073
Gamma ProdottiSUPERFET III
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds650V
Corrente Continua di Drain Id24A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.1ohm
Stile di Case del TransistorPQFN
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4.5V
Dissipazione di potenza181W
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiSUPERFET III
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
24A
Stile di Case del Transistor
PQFN
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
181W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.1ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
4.5V
Numero di pin
4Pin
Gamma di prodotti
SUPERFET III
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0004
Tracciabilità del prodotto