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FCD7N60TM

Name: ONSEMI FCD7N60TM
Brand: ONSEMI
SKU: 1324778RL
Availability: InStock

MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)

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ProduttoreONSEMI

Cod. produttoreFCD7N60TM

Codice Prodotto1324778RL

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Informazioni sui prodotti

ProduttoreONSEMI

Cod. produttoreFCD7N60TM

Codice Prodotto1324778RL

Datasheet tecnico

Data Sheet

Tipo di canalecanale N

Tensione Drain Source Vds600V

Corrente Continua di Drain Id7A

Resistenza Drain-Source in conduzione0.6ohm

Stile di Case del TransistorTO-252 (DPAK)

Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)

Tensione di test di Rds(on)10V

Tensione di soglia Gate-Source massima5V

Dissipazione di potenza83W

Numero di pin3Pin

Temperatura di esercizio max150°C

Gamma di prodotti-

Qualificazioni-

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)

Panoramica del prodotto

FCD7N60TM è un super junction MOSFET ad alta tensione SuperFET® a canale N che utilizza una tecnologia di bilanciamento della carica per performance con bassa resistenza in ON e carica di gate ancora più bassa. Questa tecnologia è fatta su misura per ridurre al minimo la perdita di conduzione, offrire prestazioni di commutazione superiori, rapporto dV/dt ed energia in valanga superiore. Di conseguenza, il MOSFET SuperFET è molto adatto per le applicazioni di alimentazione switching come la correzione del fattore di potenza (PFC), alimentazione di server/telecom, FPD TV, ATX e industriale.

Carica di gate ultra bassa (Qg = 23nC)
Bassa capacità elettrica di output (Coss.eff = 60pF)
Testato in modalità a valanga al 100%

Avvertenze

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Specifiche tecniche

Tipo di canale

canale N

Corrente Continua di Drain Id

Stile di Case del Transistor

TO-252 (DPAK)

Tensione di test di Rds(on)

10V

Dissipazione di potenza

83W

Temperatura di esercizio max

150°C

Qualificazioni

Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)

Lead (27-Jun-2024)

Tensione Drain Source Vds

600V

Resistenza Drain-Source in conduzione

0.6ohm

Montaggio Transistore

montaggio superficiale (SMT)

Tensione di soglia Gate-Source massima

Numero di pin

3Pin

Gamma di prodotti

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

MSL 1 - Non Limitata

Documenti tecnici (2)

Product Change Notice EN

Technical Data Sheet EN

Alternative per FCD7N60TM

2 prodotti trovati

Legislazione e ambiente

Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo

Tariffa n.:85412900

US ECCN:EAR99

EU ECCN:NLR

Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex

RoHS

Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì

RoHS

Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)

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Certificato di conformità del prodotto

Peso (kg):.0003

Tracciabilità del prodotto