FCD4N60TM
MOSFET di potenza, canale N, 600 V, 3.9 A, 1 ohm, TO-252 (DPAK), montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,980 |
| 10+ | € 1,340 |
| 100+ | € 0,897 |
| 500+ | € 0,751 |
| 1000+ | € 0,692 |
| 5000+ | € 0,625 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
FCD4N60TM è un MOSFET a super giunzione ad alta tensione SuperFET® a canale N che utilizza una tecnologia di bilanciamento della carica per performance con bassa resistenza in ON e carica di gate ancora più bassa. Questa tecnologia è fatta su misura per ridurre al minimo la perdita di conduzione, offrire prestazioni di commutazione superiori , rapporto dV/dt ed energia in valanga superiore. Di conseguenza, il MOSFET SuperFET è molto adatto per le applicazioni di alimentazione switching come la correzione del fattore di potenza (PFC), alimentazione di server/telecom, FPD TV, ATX e industriale.
- Carica di gate ultra bassa (Qg = 12.8nC)
- Bassa capacità elettrica di output (Coss.eff = 32pF)
- Testato in modalità a valanga al 100%
Avvertenze
La domanda del mercato per questo prodotto ha causato un'estensione dei tempi di consegna, le date di consegna possono variare.
Specifiche tecniche
canale N
3.9A
TO-252 (DPAK)
10V
50W
150°C
-
Lead (27-Jun-2024)
600V
1ohm
montaggio superficiale (SMT)
5V
3Pin
-
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto