Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
3 104 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
Quantità | |
---|---|
50+ | € 0,334 |
250+ | € 0,257 |
1000+ | € 0,142 |
3000+ | € 0,128 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 5
€ 38,40 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreBSP52T1G
Codice Prodotto2317579RL
Datasheet tecnico
Polarità TransistorNPN
Massima tensione Collettore-Emettitore80V
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo80V
Dissipazione di Potenza Pd1.25W
Corrente di Collettore continua1A
Dissipazione di potenza800mW
Corrente di Collettore CC1A
Case Transistor RFSOT-223
Numero di pin4Pin
Guadagno di Corrente CC hFE1000hFE
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo1000hFE
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The BSP52T1G is a NPN bipolar Darlington Transistor designed for use in switching applications such as print hammer, relay, solenoid and lamp drivers. The device is housed in the package which is designed for medium power surface-mount applications. The formed leads absorb thermal stress during soldering, eliminating the possibility of damage to the die.
- Can be soldered using wave or reflow
- PNP complement is BSP62T1
- AECQ101 qualified and PPAP capable
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
NPN
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
80V
Corrente di Collettore continua
1A
Corrente di Collettore CC
1A
Numero di pin
4Pin
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Massima tensione Collettore-Emettitore
80V
Dissipazione di Potenza Pd
1.25W
Dissipazione di potenza
800mW
Case Transistor RF
SOT-223
Guadagno di Corrente CC hFE
1000hFE
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo
1000hFE
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Alternative per BSP52T1G
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00012
Tracciabilità del prodotto