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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreBD681G.
Codice Prodotto9557709
Datasheet tecnico
Polarità TransistorNPN
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo100V
Dissipazione di Potenza Pd40W
Corrente di Collettore CC4A
Case Transistor RFTO-225
Numero di pin3Pin
Guadagno di Corrente CC hFE750hFE
Montaggio Transistoreforo passante (THT)
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The BD681G is a NPN bipolar medium-power Darlington Transistor for use as output device in complementary general-purpose amplifier applications.
- Monolithic construction
- Complementary with BD682
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
NPN
Dissipazione di Potenza Pd
40W
Case Transistor RF
TO-225
Guadagno di Corrente CC hFE
750hFE
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Collettore-Emettitore V(br)ceo
100V
Corrente di Collettore CC
4A
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
foro passante (THT)
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (2)
Alternative per BD681G.
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00064
Tracciabilità del prodotto