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BC847BDW1T1G
Array di transistori bipolari, scopi generici, NPN doppio, 45 V, 100 mA, 380 mW
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreBC847BDW1T1G
Codice Prodotto2317919
Gamma ProdottiBCxxx Series
Datasheet tecnico
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 14 settimana/e
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| Quantità | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,0306 |
| 9000+ | € 0,0249 |
Prezzo per:Unità, fornito in bobina completa
Minimo: 3000
Più: 3000
€ 91,80 (IVA esc)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttoreBC847BDW1T1G
Codice Prodotto2317919
Gamma ProdottiBCxxx Series
Datasheet tecnico
Polarità TransistorNPN doppio
Tensione collettore-emettitore max NPN45V
Tensione collettore-emettitore max PNP-
Corrente di collettore continua NPN100mA
Corrente di collettore continua PNP-
Dissipazione di potenza NPN380mW
Dissipazione di potenza PNP-
Guadagno di corrente DC (hFE) min NPN450hFE
Guadagno di corrente DC (hFE) min PNP-
Stile di Case del TransistorSOT-363
Numero di pin6Pin
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Temperatura di esercizio max150°C
Frequenza di transizione NPN100MHz
Frequenza di transizione PNP-
Gamma di prodottiBCxxx Series
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
The BC847BDW1T1G is a NPN dual Bipolar Transistor Array designed for general purpose amplifier applications. It is designed for low power surface-mount applications.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Junction temperature range
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
NPN doppio
Tensione collettore-emettitore max PNP
-
Corrente di collettore continua PNP
-
Dissipazione di potenza PNP
-
Guadagno di corrente DC (hFE) min PNP
-
Numero di pin
6Pin
Temperatura di esercizio max
150°C
Frequenza di transizione PNP
-
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Tensione collettore-emettitore max NPN
45V
Corrente di collettore continua NPN
100mA
Dissipazione di potenza NPN
380mW
Guadagno di corrente DC (hFE) min NPN
450hFE
Stile di Case del Transistor
SOT-363
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Frequenza di transizione NPN
100MHz
Gamma di prodotti
BCxxx Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per BC847BDW1T1G
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000006
Tracciabilità del prodotto