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55GN01CA-TB-E
Transistore RF bipolare, NPN, 10 V, 5.5 GHz, 200 mW, 70 mA, TO-236AB (SOT-23)
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| Quantità | |
|---|---|
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreONSEMI
Cod. produttore55GN01CA-TB-E
Codice Prodotto3616984
Datasheet tecnico
Polarità TransistorNPN
Massima tensione Collettore-Emettitore10V
Frequenza di transizione5.5GHz
Dissipazione di potenza200mW
Corrente di Collettore continua70mA
Stile di Case del TransistorTO-236AB (SOT-23)
Numero di pin3Pin
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo100hFE
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
NPN
Frequenza di transizione
5.5GHz
Corrente di Collettore continua
70mA
Numero di pin
3Pin
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Massima tensione Collettore-Emettitore
10V
Dissipazione di potenza
200mW
Stile di Case del Transistor
TO-236AB (SOT-23)
Guadagno di corrente DC (hFE) minimo
100hFE
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.1
Tracciabilità del prodotto