2N7000-D26Z
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 200 mA, 5 ohm, TO-92, foro passante (THT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 2000+ | € 0,0982 |
| 6000+ | € 0,0905 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
2N7000_D26Z è un transistore a effetto di campo con modalità ad arricchimento e canale N a 60V prodotto partendo dalla tecnologia DMOS ad alta densità di celle. Questo dispositivo è stato progettato per minimizzare la resistenza in stato di conduzione (RdsON) e fornire allo stesso tempo una prestazione di commutazione rapida, affidabile e robusta. Si può usare nella maggioranza delle applicazioni che richiedono fino a 400mA di corrente continua e può erogare correnti a impulsi fino a 2A. È particolarmente adatto per le applicazioni a bassa tensione e bassa corrente come i controlli di piccoli servomotori, i gate driver di MOSFET di potenza e altri tipi di commutazioni. Questo prodotto è destinato ad usi generali ed è adatto a molte applicazioni diverse.
- Design ad alta densità di celle per RDS molto bassi (ON)
- Interruttore a piccolo segnale controllato in tensione
- Robusto e affidabile
- Capacità di corrente di saturazione elevata
- Tensione di drain-gate (VDGR): 60V
- Tensione continua gate-source (VGSS): ±20V
- Resistenza termica da giunzione ad ambiente: 312,5°C/W
Specifiche tecniche
canale N
200mA
TO-92
10V
400mW
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
60V
5ohm
foro passante (THT)
2.1V
3Pin
-
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per 2N7000-D26Z
5 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
RoHS
RoHS
Certificato di conformità del prodotto