Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
354 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
Quantità | |
---|---|
1+ | € 239,930 |
5+ | € 235,130 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 1
Più: 1
€ 239,93 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreNXP
Cod. produttoreMRFE6VP61K25HR5
Codice Prodotto2776254
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds133VDC
Corrente Continua di Drain Id-
Dissipazione di potenza1.333kW
Frequenza Operativa Min1.8MHz
Frequenza Operativa Max600MHz
Stile di Case del TransistorNI-1230H-4S
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max225°C
Tipo di canalecanale N
Montaggio Transistoreflangia
Gamma di prodotti-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
L'MRFE6VP61K25HR5 è un transistor LDMOS di potenza RF a banda larga in un package NI-1230H-4S a 4 pin. Questo dispositivo di grande robustezza è pensato per l'uso nelle applicazioni industriali ad alto ROS (compresi eccitatori al plasma e laser), di broadcast (analogico e digitali), mobili terra/radio e aerospaziali. L'ingresso e l'uscita non adattati permettono un ampio intervallo di frequenza tra 1,8 e 600 MHz.
- L'ingresso e l'uscita non adattati permettono un ampio intervallo di frequenza di utilizzo
- Il dispositivo può essere usato single ended o in configurazione push pull
- Qualificato per funzionamento fino a max 50VDD
- Specifiche da 30V a 50V per intervallo di potenza esteso
- Adatto per applicazioni lineari con biasing appropriato
- Protezione ESD integrata con tensione gate-source negativa maggiore per funzionamento di Classe C migliorato
- Specifiche di parametri di impedenza a grande segnale equivalenti in serie
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
133VDC
Dissipazione di potenza
1.333kW
Frequenza Operativa Max
600MHz
Numero di pin
4Pin
Tipo di canale
canale N
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corrente Continua di Drain Id
-
Frequenza Operativa Min
1.8MHz
Stile di Case del Transistor
NI-1230H-4S
Temperatura di esercizio max
225°C
Montaggio Transistore
flangia
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (3)
Alternative per MRFE6VP61K25HR5
1 prodotto trovato
Prodotti associati
4 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.017754
Tracciabilità del prodotto