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MRFE6VP100HR5
Transistore RF FET, 133 VDC, 1.8 MHz, 2000 MHz, NI-780
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Tolto dall'assortimento
Informazioni sui prodotti
ProduttoreNXP
Cod. produttoreMRFE6VP100HR5
Codice Prodotto2776256
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds133VDC
Corrente Continua di Drain Id-
Dissipazione di potenza-
Frequenza Operativa Min1.8MHz
Frequenza Operativa Max2000MHz
Stile di Case del TransistorNI-780
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max225°C
Tipo di canalecanale N
Montaggio Transistoreflangia
Gamma di prodotti-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
MRFE6VP100HR5 is a RF power LDMOS transistor designed for both narrowband and broadband ISM, broadcast and aerospace applications operating at frequencies from 1.8 to 2000MHz. It is fabricated using NXP enhanced ruggedness platform and are suitable for use in applications where high VSWRs are encountered.
- Wide operating frequency range
- Extremely rugged
- Unmatched, capable of very broadband operation
- Integrated stability enhancements
- Low thermal resistance and integrated ESD protection circuitry
- 400nAdc max gate source leakage current (VGS = 5Vdc, VDS = 0Vdc)
- 133VDC min drain source breakdown voltage (VGS = 0Vdc, ID = 50mA)
- 10μAdc max zero gate voltage drain leakage current (VDS = 100Vdc, VGS = 0Vdc)
- 27dB max power gain, 70% typ drain efficiency
- NI-780 transistor case style and 225°C max operating temperature
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
133VDC
Dissipazione di potenza
-
Frequenza Operativa Max
2000MHz
Numero di pin
4Pin
Tipo di canale
canale N
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corrente Continua di Drain Id
-
Frequenza Operativa Min
1.8MHz
Stile di Case del Transistor
NI-780
Temperatura di esercizio max
225°C
Montaggio Transistore
flangia
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.014179