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BSP122,115.
N CH, DMOS FET, 200V, 550MA, 3-SOT-223
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ProduttoreNXP
Cod. produttoreBSP122,115.
Codice Prodotto2135468
Gamma ProdottiCompute Module 3+ Series
Datasheet tecnico
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 1,050 |
| 25+ | € 0,870 |
| 100+ | € 0,720 |
| 250+ | € 0,570 |
| 500+ | € 0,480 |
| 1000+ | € 0,460 |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNXP
Cod. produttoreBSP122,115.
Codice Prodotto2135468
Gamma ProdottiCompute Module 3+ Series
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds200V
Corrente Continua di Drain Id550mA
Stile di Case del TransistorSOT-223
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiCompute Module 3+ Series
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Unlimited
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
200V
Stile di Case del Transistor
SOT-223
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Temperatura di esercizio max
150°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Unlimited
Corrente Continua di Drain Id
550mA
Tensione di test di Rds(on)
10V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
Compute Module 3+ Series
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (15-Jan-2018)
Documenti tecnici (2)
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Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (15-Jan-2018)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001