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AFT20S015GNR1
Transistore RF FET, 65 V, 11 W, 1.805 GHz, 2.7 GHz, TO-270G
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ProduttoreNXP
Cod. produttoreAFT20S015GNR1
Codice Prodotto2890592
Gamma ProdottiAFT20S015GN
Datasheet tecnico
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNXP
Cod. produttoreAFT20S015GNR1
Codice Prodotto2890592
Gamma ProdottiAFT20S015GN
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds65V
Corrente Continua di Drain Id-
Dissipazione di potenza11W
Frequenza Operativa Min1.805GHz
Frequenza Operativa Max2.7GHz
Stile di Case del TransistorTO-270G
Numero di pin2Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Tipo di canalecanale N
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodottiAFT20S015GN
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 3 - 168 ore
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
- N channel enhancement mode Lateral MOSFET, RF power LDMOS transistor
- Greater negative gate--source voltage range for improved Class C operation
- Designed for digital predistortion error correction systems
- Optimized for doherty applications
- 17.6dB typical power gain (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Drain efficiency is 22.0% typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Adjacent channel power ratio is -44.0dBc typical (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- Typical input return loss is -14dB (VDD = 28VDC, IDQ = 132mA, Pout = 1.5W, TA = 25°C)
- 0.05dB typical gain flatness in 60MHz bandwidth (at Pout = 1.5W Avg.)
- 2 bit TO--270G package, operating junction temperature range from -40°C to +225°C
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
65V
Dissipazione di potenza
11W
Frequenza Operativa Max
2.7GHz
Numero di pin
2Pin
Tipo di canale
canale N
Gamma di prodotti
AFT20S015GN
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corrente Continua di Drain Id
-
Frequenza Operativa Min
1.805GHz
Stile di Case del Transistor
TO-270G
Temperatura di esercizio max
150°C
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 3 - 168 ore
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0003
Tracciabilità del prodotto