Stampa pagina
AFT09MS015NT1
Transistore RF FET, 40 VDC, 125 W, 136 MHz, 941 MHz, PLD-1.5W
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 10 settimana/e
| Quantità | |
|---|---|
| 1000+ | € 3,510 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 1000
Più: 1000
€ 3 515,00 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreNXP
Cod. produttoreAFT09MS015NT1
Codice Prodotto2776264RL
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds40VDC
Corrente Continua di Drain Id-
Dissipazione di potenza125W
Frequenza Operativa Min136MHz
Frequenza Operativa Max941MHz
Stile di Case del TransistorPLD-1.5W
Numero di pin2Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Tipo di canalecanale N
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 3 - 168 ore
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
- RF power LDMOS transistor
- Characterized for operation from 136 to 941MHz
- Unmatched input and output allowing wide frequency range utilization
- Integrated ESD protection
- Integrated stability enhancements
- Exceptional thermal performance
- High ruggedness N-channel enhancement mode lateral MOSFET
Avvertenze
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
40VDC
Dissipazione di potenza
125W
Frequenza Operativa Max
941MHz
Numero di pin
2Pin
Tipo di canale
canale N
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corrente Continua di Drain Id
-
Frequenza Operativa Min
136MHz
Stile di Case del Transistor
PLD-1.5W
Temperatura di esercizio max
150°C
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 3 - 168 ore
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0003
Tracciabilità del prodotto