Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
240 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
Quantità | |
---|---|
100+ | € 2,600 |
500+ | € 2,390 |
1000+ | € 2,170 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 100
Più: 1
€ 265,00 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreNXP
Cod. produttoreAFT09MS007NT1
Codice Prodotto2776255RL
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds30VDC
Corrente Continua di Drain Id-
Dissipazione di potenza114W
Frequenza Operativa Min136MHz
Frequenza Operativa Max941MHz
Stile di Case del TransistorPLD-1.5W
Numero di pin2Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Tipo di canalecanale N
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 3 - 168 ore
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Panoramica del prodotto
L'AFT09MS007NT1 è un transistor LDMOS di potenza RF per applicazioni radio bidirezionali palmari con frequenze da 136 a 941Mhz. Le prestazioni di banda larga, alto guadagno e solidità di questo dispositivo lo rendono ideale per le applicazioni con amplificatore common-source a grande segnale nelle apparecchiature radio palmari. Le applicazioni tipiche sono gli output stage per radio palmari banda VHF, output stage per radio palmari banda UHF, output stage per radio palmari 700–800MHz.
- L'ingresso e uscita non adattati permettono l'utilizzo con ampio intervallo di frequenza
- Protezione integrata contro le scariche ESD
- Miglioramenti di stabilità integrati
- Piena potenza a banda larga in tutta la banda
- Prestazioni termiche eccezionali
- Robustezza estrema
- Alta linearità per: TETRA, SSB
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
30VDC
Dissipazione di potenza
114W
Frequenza Operativa Max
941MHz
Numero di pin
2Pin
Tipo di canale
canale N
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (27-Jun-2024)
Corrente Continua di Drain Id
-
Frequenza Operativa Min
136MHz
Stile di Case del Transistor
PLD-1.5W
Temperatura di esercizio max
150°C
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 3 - 168 ore
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (27-Jun-2024)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000858
Tracciabilità del prodotto