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PXN011-60QLAJ
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 46 A, 0.011 ohm, MLPAK33, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttorePXN011-60QLAJ
Codice Prodotto4697680
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id46A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.011ohm
Stile di Case del TransistorMLPAK33
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.2V
Dissipazione di potenza47W
Numero di pin8Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
46A
Stile di Case del Transistor
MLPAK33
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
47W
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.011ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.2V
Numero di pin
8Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto