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PSMNR90-80CSFJ
MOSFET di potenza, canale N, 80 V, 505 A, 900 µohm, CCPAK1212i, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttorePSMNR90-80CSFJ
Codice Prodotto4574215RL
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds80V
Corrente Continua di Drain Id505A
Resistenza Drain-Source in conduzione900µohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima4V
Dissipazione di potenza1.55kW
Numero di pin12Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
80V
Resistenza Drain-Source in conduzione
900µohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
4V
Numero di pin
12Pin
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Corrente Continua di Drain Id
505A
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
1.55kW
Temperatura di esercizio max
175°C
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto