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PSMNR70-40YSNX
MOSFET di potenza, canale N, 40 V, 360 A, 810 µohm, LFPAK56E, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttorePSMNR70-40YSNX
Codice Prodotto4574212RL
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds40V
Corrente Continua di Drain Id360A
Resistenza Drain-Source in conduzione810µohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.6V
Dissipazione di potenza333W
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
40V
Resistenza Drain-Source in conduzione
810µohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.6V
Numero di pin
4Pin
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Corrente Continua di Drain Id
360A
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
333W
Temperatura di esercizio max
175°C
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto