Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
1 499 A Stock
Ti serve altro?
Consegna EXPRESS in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00
Consegna standard GRATUITA
per gli ordini di importo pari e superiore a € 0,00
I tempi di consegna precisi saranno calcolati al momento del pagamento
Quantità | |
---|---|
100+ | € 0,551 |
500+ | € 0,539 |
1000+ | € 0,462 |
5000+ | € 0,453 |
Prezzo per:Unità
Minimo: 100
Più: 1
€ 55,10 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttorePSMN8R5-60YS,115
Codice Prodotto1785625RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id76A
Resistenza Drain-Source in conduzione5600µohm
Stile di Case del TransistorSOT-669
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza106W
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Panoramica del prodotto
The PSMN8R5-60YS is a 60V standard level N-channel MOSFET using advanced TrenchMOS provides low RDS (on) and low gate charge and high efficiency gains in switching power converters. Suitable for use in DC to DC converters, motor control and server power supplies applications.
- 175°C Junction temperature
- Improved mechanical and thermal characteristics
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
76A
Stile di Case del Transistor
SOT-669
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
106W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (25-Jun-2025)
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
5600µohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
4Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (25-Jun-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000896
Tracciabilità del prodotto