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PSMN4R0-30YLDX
MOSFET di potenza, canale N, 30 V, 95 A, 0.0034 ohm, SOT-669, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttorePSMN4R0-30YLDX
Codice Prodotto2449092RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id95A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0034ohm
Stile di Case del TransistorSOT-669
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.74V
Dissipazione di potenza64W
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
The PSMN4R0-30YLD is a N-channel enhancement-mode logic level gate drive MOSFET optimised for 4.5V gate drive. NextPowerS3 portfolio utilising NXP's unique SchottkyPlus technology delivers high efficiency, low spiking performance usually associated with MOSFETs with an integrated Schottky or Schottky-like diode but without problematic high leakage current. NextPowerS3 is particularly suited to high efficiency applications at high switching frequencies.
- Ultra-low QG, QGD and QOSS for high system efficiency, especially at higher switching frequencies
- Superfast switching with soft-recovery (s-factor<gt/>1)
- Low spiking and ringing for low EMI designs
- Unique SchottkyPlus technology
- Schottky-like performance with <lt/>1µA leakage at 25°C
- Low parasitic inductance and resistance
- High reliability clip bonded and solder die attach power SO8 package
- No glue, no wire bonds, qualified to 175°C
- Wave solderable, exposed leads for optimal visual solder inspection
- -55 to 175°C Junction temperature range
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
95A
Stile di Case del Transistor
SOT-669
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
64W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0034ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.74V
Numero di pin
4Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Thailand
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00001
Tracciabilità del prodotto