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PSMN0R9-25YLC,115
MOSFET di potenza, canale N, 25 V, 100 A, 990 µohm, SOT-669, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttorePSMN0R9-25YLC,115
Codice Prodotto4319406
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds25V
Corrente Continua di Drain Id100A
Resistenza Drain-Source in conduzione990µohm
Stile di Case del TransistorSOT-669
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.41V
Dissipazione di potenza137W
Numero di pin4Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
100A
Stile di Case del Transistor
SOT-669
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
137W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
25V
Resistenza Drain-Source in conduzione
990µohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.41V
Numero di pin
4Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000145
Tracciabilità del prodotto