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PSMN047-100NSEX
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 18.4 A, 0.0534 ohm, SOT-1220, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttorePSMN047-100NSEX
Codice Prodotto4313402RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id18.4A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0534ohm
Stile di Case del TransistorSOT-1220
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3.6V
Dissipazione di potenza42W
Numero di pin6Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
18.4A
Stile di Case del Transistor
SOT-1220
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
42W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0534ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3.6V
Numero di pin
6Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000024
Tracciabilità del prodotto