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PSMN013-100BS,118
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 68 A, 0.0139 ohm, TO-263 (D2PAK)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttorePSMN013-100BS,118
Codice Prodotto4384253
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id68A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0139ohm
Stile di Case del TransistorTO-263 (D2PAK)
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima3V
Dissipazione di potenza170W
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
68A
Stile di Case del Transistor
TO-263 (D2PAK)
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
170W
Temperatura di esercizio max
175°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0139ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
3V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001743
Tracciabilità del prodotto