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PMV280ENEAR
MOSFET di potenza, canale N, 100 V, 1.1 A, 0.285 ohm, TO-236AB, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttorePMV280ENEAR
Codice Prodotto2777604
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id1.1A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.285ohm
Stile di Case del TransistorTO-236AB
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima1.7V
Dissipazione di potenza580mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
QualificazioniAEC-Q101
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Panoramica del prodotto
PMV280ENEAR is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, switching circuits.
- Logic level compatible, AEC-Q101 qualified
- ElectroStatic Discharge (ESD) protection > 2kV HBM (class H2)
- Drain-source breakdown voltage is 100V min at ID = 250µA; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Gate-source threshold voltage is 1.7V typ at ID = 250µA; VDS=VGS; Tj = 25°C
- Drain leakage current is 1µA max at VDS = 100V; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 285mohm typ at VGS = 10V; ID = 1.1A; Tj = 25°C
- Source-drain voltage is 0.8V typ at IS = 1A; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Gate resistance is 1.8ohm typ at f = 1MHz
- Ambient temperature range from -55°C to +175°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
1.1A
Stile di Case del Transistor
TO-236AB
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
580mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
AEC-Q101
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.285ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
1.7V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000002
Tracciabilità del prodotto