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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttorePMV160UP,215
Codice Prodotto2439755
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds20V
Corrente Continua di Drain Id1.2A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.28ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)1.8V
Tensione di soglia Gate-Source massima700mV
Dissipazione di potenza335mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
1.2A
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
1.8V
Dissipazione di potenza
335mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Tensione Drain Source Vds
20V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.28ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
700mV
Numero di pin
3Pin
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Documenti tecnici (2)
Alternative per PMV160UP,215
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:United States
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.001
Tracciabilità del prodotto