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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttoreNXV55UNR
Codice Prodotto3617842
Gamma ProdottiTrench
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id1.9A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.066ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima600mV
Dissipazione di potenza340mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiTrench
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
NXV55UNR is a N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, low-side load switch, and switching circuits.
- Low threshold voltage, very fast switching
- Drain-source voltage is 30V max at Tj = 25°C
- Gate-source voltage is 8V maximum
- Drain current is 2.3A max at VGS = 4.5V; Tamb = 25°C; t ≤ 5s
- Peak drain current is 7.6A max at Tamb = 25°C; single pulse; tp ≤ 10µs
- Total power dissipation is 340mW max at Tamb = 25°C
- Drain-source on-state resistance is 50mohm typ at VGS = 4.5V; ID = 1.9A; Tj = 25°C
- Source-drain voltage is 0.6V typ at IS = 0.4A; VGS = 0V; Tj = 25°C
- Total gate charge is 5.8nC typ at VDS = 15V; ID = 1.9A; VGS = 4.5V; Tj = 25°C
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
1.9A
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
4.5V
Dissipazione di potenza
340mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.066ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
600mV
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
Trench
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.0004
Tracciabilità del prodotto