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NSF030120D7A0-QJ
MOSFET al carburo di silicio, configurazione singola, canale N, 69 A, 1.2 kV, 0.045 ohm, TO-263
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| Quantità | |
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttoreNSF030120D7A0-QJ
Codice Prodotto4719792
Datasheet tecnico
Configurazione modulo MOSFETconfigurazione singola
Tipo di canalecanale N
Corrente Continua di Drain Id69A
Tensione Drain Source Vds1.2kV
Resistenza Drain-Source in conduzione0.045ohm
Stile di Case del TransistorTO-263
Numero di pin7Pin
Tensione di test di Rds(on)18V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.9V
Dissipazione di potenza306W
Temperatura di esercizio max175°C
Gamma di prodotti-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Configurazione modulo MOSFET
configurazione singola
Corrente Continua di Drain Id
69A
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.045ohm
Numero di pin
7Pin
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.9V
Temperatura di esercizio max
175°C
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tipo di canale
canale N
Tensione Drain Source Vds
1.2kV
Stile di Case del Transistor
TO-263
Tensione di test di Rds(on)
18V
Dissipazione di potenza
306W
Gamma di prodotti
-
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:In attesa di conferma
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:In attesa di conferma
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000001
Tracciabilità del prodotto