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GAN7R0-150LBEZ
Transistore al nitruro di gallio (GaN), 150 V, 28 A, 0.0056 ohm, 7.6 nC, FCLGA
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttoreGAN7R0-150LBEZ
Codice Prodotto4198484
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds150V
Corrente Continua di Drain Id28A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.0056ohm
Carica di gate tipica7.6nC
Stile di Case del TransistorFCLGA
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Numero di pin3Pin
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
150V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.0056ohm
Stile di Case del Transistor
FCLGA
Numero di pin
3Pin
Qualificazioni
-
Corrente Continua di Drain Id
28A
Carica di gate tipica
7.6nC
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000833
Tracciabilità del prodotto