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GAN140-650EBEZ
Transistore al nitruro di gallio (GaN), 650 V, 17 A, 0.106 ohm, 3.5 nC, DFN8080
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttoreGAN140-650EBEZ
Codice Prodotto4198480
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds650V
Corrente Continua di Drain Id17A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.106ohm
Carica di gate tipica3.5nC
Stile di Case del TransistorDFN8080
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Numero di pin8Pin
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.106ohm
Stile di Case del Transistor
DFN8080
Numero di pin
8Pin
Qualificazioni
-
Corrente Continua di Drain Id
17A
Carica di gate tipica
3.5nC
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000012
Tracciabilità del prodotto