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GAN039-650NTBJ
Transistore al nitruro di gallio (GaN), 650 V, 58.5 A, 0.039 ohm, 26 nC, CCPAK1212i
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttoreGAN039-650NTBJ
Codice Prodotto4550979
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds650V
Corrente Continua di Drain Id58.5A
Resistenza Drain-Source in conduzione0.039ohm
Carica di gate tipica26nC
Stile di Case del TransistorCCPAK1212i
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Numero di pin12Pin
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
650V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.039ohm
Stile di Case del Transistor
CCPAK1212i
Numero di pin
12Pin
Qualificazioni
-
Corrente Continua di Drain Id
58.5A
Carica di gate tipica
26nC
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Gamma di prodotti
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
Lead (21-Jan-2025)
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Philippines
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Y-Ex
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)Lead (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00001
Tracciabilità del prodotto