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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttoreBST82,215
Codice Prodotto1081313RL
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id190mA
Resistenza Drain-Source in conduzione10ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)5V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza830mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Panoramica del prodotto
BST82,215 is a N-channel enhancement mode field-effect transistor in a plastic package using TrenchMOS™ technology. Typical applications include relay driver, high-speed line driver, logic level translator.
- Very fast switching, logic level compatible
- Subminiature surface mount package
- Drain-source breakdown voltage is 130V typ at Tj=25°C, ID=10µA; VGS =0V
- Drain-source leakage current is 0.01µA typ at Tj=25°C, VDS=60V; VGS =0V
- Gate-source leakage current is 10nA typ at VGS=±20V; VDS =0V
- Forward transconductance is 350mS min at VDS=5V; ID=175mA
- Source-drain (diode forward) voltage is 1.5V typ at IS=300mA; VGS=0V
- Reverse recovery time is 30ns min at IS=300mA
- SOT23 package
- Operating junction temperature range from -65 to 150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
190mA
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
5V
Dissipazione di potenza
830mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
10ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (3)
Alternative per BST82,215
3 prodotti trovati
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Hong Kong
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Hong Kong
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000061
Tracciabilità del prodotto