Stampa pagina
BSS84,215
MOSFET di potenza, canale P, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 10 settimana/e
Avvisami non appena disponibile
| Quantità | |
|---|---|
| 3000+ | € 0,0314 |
| 9000+ | € 0,0295 |
Prezzo per:Unità, fornito in bobina completa
Minimo: 3000
Più: 3000
€ 94,20 (IVA esc)
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttoreBSS84,215
Codice Prodotto2319389
Tipo di canalecanale P
Tensione Drain Source Vds50V
Corrente Continua di Drain Id130mA
Resistenza Drain-Source in conduzione10ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza250mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
BSS84 è un transistor a effetto di campo FET ad arricchimento a canale P, da -50V, progettato e qualificato per l'utilizzo in applicazioni informatiche, di comunicazione, di consumo e industriali. Questo transistore DMOS (Diffusion Metal-Oxide Semiconductor) è adatto per applicazioni ad alta frequenza grazie alle caratteristiche di commutazione rapida.
- Adatto per l'uso con tutte le famiglie logiche da 5V
- Adatto per le sorgenti con gate drive basso
- Bassa tensione di soglia
- Commutazione ad alta velocità
- Interfaccia diretta a CMOS e logica Transistor-Transistor (TTL)
- No breakdown secondario
- Tensione gate-source: ±20V
Avvertenze
La forte domanda di mercato ha causato un'estensione dei tempi di spedizione. Le date di consegna potrebbero variare. Articolo esente da sconti.
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale P
Corrente Continua di Drain Id
130mA
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
250mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
50V
Resistenza Drain-Source in conduzione
10ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Alternative per BSS84,215
7 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.002
Tracciabilità del prodotto