Stampa pagina
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
Disponibile per l'ordine
Tempo di approvvigionamento standard del produttore: 12 settimana/e
Avvisami non appena disponibile
| Quantità | |
|---|---|
| 5+ | € 0,271 |
| 50+ | € 0,142 |
| 100+ | € 0,106 |
| 500+ | € 0,0841 |
| 1500+ | € 0,0751 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 5
Più: 5
€ 1,36 (IVA esc)
nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttoreBSS123,215
Codice Prodotto1510764
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds100V
Corrente Continua di Drain Id150mA
Resistenza Drain-Source in conduzione6ohm
Stile di Case del TransistorSOT-23
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2V
Dissipazione di potenza250mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Panoramica del prodotto
Il BSS123 di NXP è un transistor a effetto di campo ad arricchimento a canale N, montaggio superficiale, in un package SOT-23 che sfrutta la tecnologia TrenchMOS. Questo transistor è caratterizzato da una commutazione ad altissima velocità e un’elevata compatibilità a livello logico. BS123 è adatto per driver di linea ad alta velocità, ringer dei telefoni e driver di relè.
- Tensione drain-source (Vds) 100V
- Tensione gate-source ±20V
- Corrente di drain continua (Id) 150mA
- Dissipazione di potenza (pd): 250mW
- Intervallo di temperatura di giunzione operativa da -55°C a 150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
150mA
Stile di Case del Transistor
SOT-23
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
250mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (25-Jun-2025)
Tensione Drain Source Vds
100V
Resistenza Drain-Source in conduzione
6ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
2V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (3)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (25-Jun-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.00001
Tracciabilità del prodotto