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BSH103,215
MOSFET di potenza, canale N, 30 V, 850 mA, 0.4 ohm, TO-236AB, montaggio superficiale (SMT)
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttoreBSH103,215
Codice Prodotto1081307
Datasheet tecnico
Tipo di canalecanale N
Tensione Drain Source Vds30V
Corrente Continua di Drain Id850mA
Resistenza Drain-Source in conduzione0.4ohm
Stile di Case del TransistorTO-236AB
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Tensione di test di Rds(on)4.5V
Tensione di soglia Gate-Source massima400mV
Dissipazione di potenza750mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
L’NXP BSH103 è un transistor MOS ad arricchimento (enhancement) con canale N, in un package SOT-23 a montaggio superficiale basato sulla tecnologia TrenchMOS. Questo transistor presenta una soglia molto bassa, alta velocità di commutazione, non ha breakdown secondari e si interfaccia direttamente con CMOS, TTL. BSH103 è progettato e qualificato per l’uso nelle applicazioni ad alta frequenza, nell’interfaccia a logica collante (glue logic) tra i blocchi logici o le periferiche, nelle applicazioni di calcolo e in quelle alimentate a batteria.
- Adatto per l'uso con tutte le famiglie logiche da 5V
- Adatto per le sorgenti con gate drive molto basso
- Tensione drain-source (Vds) 30V
- Tensione gate-source ±8V
- Corrente di drain (Id) di 850mA
- Dissipazione di potenza (pd): 750mW
- Intervallo di temperatura di giunzione operativa da -55°C a 150°C
Specifiche tecniche
Tipo di canale
canale N
Corrente Continua di Drain Id
850mA
Stile di Case del Transistor
TO-236AB
Tensione di test di Rds(on)
4.5V
Dissipazione di potenza
750mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione Drain Source Vds
30V
Resistenza Drain-Source in conduzione
0.4ohm
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Tensione di soglia Gate-Source massima
400mV
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
-
Documenti tecnici (3)
Prodotti associati
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000033
Tracciabilità del prodotto