Stampa pagina
BC856BS,115
Array di transistori bipolari, PNP doppio, 65 V, 100 mA
L'immagine ha puramente scopi illustrativi. Vedere la descrizione del prodotto.
7 078 A Stock
Ti serve altro?
Consegna in 1-2 giorni lavorativi
Ordina prima delle 17:00 spedizione standard
| Quantità | |
|---|---|
| 500+ | € 0,0534 |
| 1500+ | € 0,0385 |
Prezzo per:Unità, fornito su nastro tagliato
Minimo: 500
Più: 5
€ 31,70 (IVA esc)
Per questo prodotto verranno addebitati € 5,00 per il re-reeling
Aggiungi codice prodotto /nota
Aggiunto alla tua conferma d'ordine, fattura e nota di spedizione solo per questo ordine.
Questo numero verrà aggiunto alla conferma d'ordine, alla fattura, alla nota di spedizione, all'e-mail di conferma web e all'etichetta del prodotto.
Informazioni sui prodotti
ProduttoreNEXPERIA
Cod. produttoreBC856BS,115
Codice Prodotto2069530RL
Datasheet tecnico
Polarità TransistorPNP doppio
Tensione collettore-emettitore max NPN-
Tensione collettore-emettitore max PNP65V
Corrente di collettore continua NPN-
Corrente di collettore continua PNP100mA
Dissipazione di potenza NPN-
Dissipazione di potenza PNP200mW
Guadagno di corrente DC (hFE) min NPN-
Guadagno di corrente DC (hFE) min PNP200hFE
Stile di Case del TransistorSOT-363
Numero di pin6Pin
Montaggio Transistoremontaggio superficiale (SMT)
Temperatura di esercizio max150°C
Frequenza di transizione NPN-
Frequenza di transizione PNP100MHz
Gamma di prodotti-
Qualificazioni-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Panoramica del prodotto
BC856BS,115 is a PNP/PNP general-purpose transistor pair in a very small Surface-Mounted Device (SMD) plastic package.
- Low collector capacitance
- Low collector-emitter saturation voltage
- Closely matched current gain
- Reduces number of components and board space
- No mutual interference between the transistors
- DC current gain: 270 at VCE=-5V, IC=-10µA
- Transition frequency is 100MHz min at VCE=-5V; IC=-10mA;f=100MHz
- Noise figure is 1.6dB typ at VCE=-5V; IC=-0.2mA;RS =2kohm;f=10Hz to 15.7kHz
- SOT363 package
- Ambient temperature range from -55 to 150°C
Specifiche tecniche
Polarità Transistor
PNP doppio
Tensione collettore-emettitore max PNP
65V
Corrente di collettore continua PNP
100mA
Dissipazione di potenza PNP
200mW
Guadagno di corrente DC (hFE) min PNP
200hFE
Numero di pin
6Pin
Temperatura di esercizio max
150°C
Frequenza di transizione PNP
100MHz
Qualificazioni
-
Sostanze estremamente preoccupanti (SVHC)
No SVHC (21-Jan-2025)
Tensione collettore-emettitore max NPN
-
Corrente di collettore continua NPN
-
Dissipazione di potenza NPN
-
Guadagno di corrente DC (hFE) min NPN
-
Stile di Case del Transistor
SOT-363
Montaggio Transistore
montaggio superficiale (SMT)
Frequenza di transizione NPN
-
Gamma di prodotti
-
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (2)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:Malaysia
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Sostanza estremamente pericolosa ( SVHC)No SVHC (21-Jan-2025)
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.000221
Tracciabilità del prodotto