IRF5210S
MOSFET di potenza, canale P, 100 V, 38 A, 0.06 ohm, TO-263, montaggio superficiale (SMT)
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| Quantità | |
|---|---|
| 1+ | € 2,200 |
| 10+ | € 1,760 |
| 100+ | € 1,250 |
| 500+ | € 0,881 |
| 1000+ | € 0,629 |
| 5000+ | € 0,551 |
Informazioni sui prodotti
Panoramica del prodotto
The IRF5210S is a high-performance P-channel MOSFET optimized for power switching and management in demanding applications. With a low R��������(��������) of 0.08٠(typical) and a high drain current capability of -33A, it provides efficient operation with minimal power loss. Its robust design ensures reliable performance in high-power circuits. The IRF5210S is ideal for applications such as motor control, DC-DC converters, power inverters, and battery protection systems. Encased in a D2PAK (TO-263) package, it offers excellent thermal performance and ease of integration, making it a dependable choice for automotive, industrial, and consumer electronic systems requiring reliable and efficient power management solutions.
- VDS (V) =100V
- ID =-38A
- RDS(ON) = 60mΩ @ VGS =-10V
- Ultra Low On-Resistance
- Fast Switching
- Advanced Process Technology
Specifiche tecniche
canale P
38A
TO-263
10V
170W
150°C
-
No SVHC (27-Jun-2024)
100V
0.06ohm
montaggio superficiale (SMT)
4V
3Pin
Multicomp Pro Power MOSFETs
-
Documenti tecnici (1)
Alternative per IRF5210S
2 prodotti trovati
Legislazione e ambiente
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Certificato di conformità del prodotto