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ProduttoreMULTICOMP PRO
Cod. produttore2N7002T
Codice Prodotto4655269RL
Gamma ProdottiMulticomp Pro MOSFET Transistros
Datasheet tecnico
6 410 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreMULTICOMP PRO
Cod. produttore2N7002T
Codice Prodotto4655269RL
Gamma ProdottiMulticomp Pro MOSFET Transistros
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id115mA
Resistenza Drain-Source in conduzione5ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.5V
Dissipazione di potenza150mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiMulticomp Pro MOSFET Transistros
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Panoramica del prodotto
The 2N7002T is an ultra-compact, high-speed N-channel MOSFET optimized for low-power switching applications in space-constrained designs. Encased in a miniature SOT-523 package, this device delivers robust performance with low gate threshold voltage, fast switching times, and low R DS(on), making it ideal for use in portable electronics, wearables, and compact embedded systems. Engineered for direct logic-level interfacing, the 2N7002T enables efficient control of loads such as LEDs, sensors, and small actuators using microcontrollers and logic ICs.
- Logic-Level Gate Drive (VGS(th) ~1–2.5V): Easily driven by 2.5V, 3.3V, or 5V logic signals; no level shifting needed
- Low On-Resistance R DS(on): Minimizes conduction losses for improved energy efficiency
- Fast Switching Speed: Suitable for high-speed digital circuits and PWM control
- Miniature SOT-523 Package: Ideal for space-constrained designs like wearables, mobile, and IoT devices
- Low Gate Charge (Q g): Reduces power required from control logic; efficient with MCUs or ASICs
- Wide Operating Temperature Range (-55°C to +150°C): Ensures stability and performance across harsh environmental conditions
- MSL 1 Rating: Unlimited floor life; no moisture precautions required before reflow soldering
- Meets global environmental and safety standards: RoHS Compliant
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
5ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.5V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
Multicomp Pro MOSFET Transistros
Corrente Continua di Drain Id
115mA
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
150mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.107