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2N7002K
MOSFET di potenza, canale N, 60 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, montaggio superficiale (SMT)
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ProduttoreMULTICOMP PRO
Cod. produttore2N7002K
Codice Prodotto4655268RL
Gamma ProdottiMulticomp Pro MOSFET Transistros
Datasheet tecnico
14 530 A Stock
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Informazioni sui prodotti
ProduttoreMULTICOMP PRO
Cod. produttore2N7002K
Codice Prodotto4655268RL
Gamma ProdottiMulticomp Pro MOSFET Transistros
Datasheet tecnico
Tensione Drain Source Vds60V
Corrente Continua di Drain Id300mA
Resistenza Drain-Source in conduzione2ohm
Tensione di test di Rds(on)10V
Tensione di soglia Gate-Source massima2.5V
Dissipazione di potenza350mW
Numero di pin3Pin
Temperatura di esercizio max150°C
Gamma di prodottiMulticomp Pro MOSFET Transistros
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)MSL 1 - Non Limitata
Panoramica del prodotto
The 2N7002K is a compact, high-performance N-channel enhancement-mode MOSFET designed for fast switching and low-power applications. Housed in a space-saving SOT-23 package, this device is ideal for load switching, signal gating, and level translation within digital and analog circuits. With low on-resistance, fast switching speed, and the ability to operate directly from standard logic-level signals (TTL/CMOS), the 2N7002K offers reliable performance in demanding applications ranging from consumer electronics to industrial control systems.
- Logic-level drive: Compatible with 2.5V, 3.3V, and 5V systems
- Low R DS(on): Minimizes power loss and heat
- Fast switching speed: Ideal for PWM and signal control
- Compact SOT-23 package: Saves board space
- Ensures reliability in a wide range of environments: Broad Operating Temperature Range (-55°C to +150°C)
- No dry pack or baking is required; it simplifies handling and assembly: MSL Level 1 (Moisture Sensitivity Level)
- Environmentally friendly and suitable for global applications: RoHS Compliant
Specifiche tecniche
Tensione Drain Source Vds
60V
Resistenza Drain-Source in conduzione
2ohm
Tensione di soglia Gate-Source massima
2.5V
Numero di pin
3Pin
Gamma di prodotti
Multicomp Pro MOSFET Transistros
Corrente Continua di Drain Id
300mA
Tensione di test di Rds(on)
10V
Dissipazione di potenza
350mW
Temperatura di esercizio max
150°C
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
MSL 1 - Non Limitata
Documenti tecnici (1)
Alternative per 2N7002K
1 prodotto trovato
Legislazione e ambiente
Paese d'origine:
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivoPaese d'origine:China
Paese in cui si è svolta l'ultima parte più significativa del processo produttivo
Tariffa n.:85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
Conforme alla direttiva RoHS:Sì
RoHS
Conforme alle norme RoHS sugli ftalati:Sì
RoHS
Scarica il certificato di conformità del prodotto
Certificato di conformità del prodotto
Peso (kg):.107